全自動硅片分選系統

  • 產品型號:UltraMap C200L
  • 制造原廠:MicroSense, LLC

可減少200mm晶圓測量時間 - 行業領先的1.25x高速吞吐量 -  E ++等效模式下可處理每小時56片晶圓,具有全晶圓mapping和2mm邊緣排阻

E模擬模式每小時處理90+片晶圓,3mm邊緣排除

納米級分辨率,雙探頭MicroSense電容測量系統,可根據SEMI標準實現高靈敏度和高重復性測量

每200mm晶圓可測量超過200,000個數據點

機器全自動自動校準 - 每班次可測量更多晶圓

專為可靠性和長期支持性而設計 -  UltraMap具有現代化的高可靠性系統設計,具有直接驅動精密空氣軸承rtheta晶圓臺和在Windows計算機上可運行的軟件。


非接觸200 mm精密空氣軸承rtheta臺

雙臂機器手臂和預對準器

可調3點晶圓支架

盒式分類; 5個卡匣(2進3出)

集成光幕安全系統

可選SECS / GEM界面

可選低或高或兩者兼有的電阻率

可選P / N型傳感器

雙面SEMI標準電容測量

2mm去邊距離

完全可編程的測量路徑,包括傳統系統的仿真。 1.9mm標準測量環間距。



精度

重復性

絕對范圍

厚度

±0.25μm

0.06μm

標稱厚度為 ±150μm

全球平坦度

±0.06μm

0.02μm


位置點平坦度

±0.06μm

位置點的90%0.011μm




位置點的90%0.025μm


形狀(Bow/Warp

±(1.5 +讀數的 3%) μm

±(0.5 + 讀數的1%) μm

±150 μm

晶圓屬性:

材料硅晶圓 - 蝕刻,研磨或拋光

晶圓直徑200mm(可選150mm

晶圓厚度300μm1200μm

Notch,平邊(主/次)支持最多每片立昂個SEMI標準

邊緣排除可調節;距晶圓邊緣最多2毫米

數據密度和吞吐量:

數據點的數量,200mm晶圓全晶圓圖大于200,000

系統吞吐量 - 2mm留邊:56每小時200毫米晶圓,全晶圓掃描

系統吞吐量 - E仿真模式,3mm留邊:每小時90 + 200毫米晶圓,全晶圓掃描

選項 - 電阻率測量

低量程模塊 - 測量范圍0.001 - 0.999歐姆 - 厘米

高量程模塊 - 測量范圍為0.2 - 199.9歐姆 - 厘米

電阻率量具配置 - 低,高或兩者

P / N型傳感器 - 可選非晶圓P型或N型非接觸檢測

硅片分選和卡夾

排序標準可配置排序,多種分選選項

卡夾數量5 標準機型2進,3

晶圓測量

晶圓厚度全晶圓掃描,5點或中心點

形狀鞠躬/ Warp / SORI使用3點或最適合參考

全球平坦度SEMI GBIR,TIR,FPD,FPD%,5TTV

場地平整度SFQR / SFQD,SBIR / SBID和所有SEMI M1標準,具有8-30毫米的場地尺寸和可變的偏移量

選項

電阻率計(低電平或兩者都有),P / N型傳感器,邊緣夾持末端執行器和邊緣夾持預對準器,SECS / GEM接口,用于非常高分辨率晶片的光學退火

機器認證SEMI S2,CE


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